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求助关于计算用MS计算半导体能带的问题

计算失败后,给出的错误信息是2014/09/03@15:07:31 - GaP CASTEP GeomOpt ERROR CASTEP terminated with unknown error status. 2014/09/03@15:07:33 - GaP CASTEP GeomOpt ERROR Error on Job Complete. Failed to import document from C:\Use...

绝缘体的禁带宽度较大,价带顶的电子难以跃迁到导带底成为自由电子,故电导率较低; 导体的禁带宽度较小,价带顶的电子容易跃迁到导带底成为自由电子,同时在价带顶形成空穴,故电导率较高; 半导体禁带宽度介于二者之间,故电导率也介于二者之间

空穴导电,P型半导体(1分) (1分) 参杂B原子后,在原来价带上方附带产生受主能带,有利于电子进入而产生空穴 答案见图:

固体能够导电是固体中的电子在外场作用下做定向运动的结果.从能带理论看,是电子从一个能级跃迁到另一个能级上去. 对于满带,其中能级已被电子占满,在外电场的作用下满带中的电子并不形成电流,对导电没有贡献.对于被电子部分占满的能带,在外电场的...

头都看大了,半导体进行不同的掺杂会有不同特性,光电效应,磁电效应,压电效应等等,硅,硒,锗以及一些金属氧化物都是半导体材料

附件里有个FIT计算的模板,你应该用得上. 不过得提醒你,你得先假定一个活化能Ea值. 补充一句:你的实验数据不够,没法直接算出Ea值.所以你得从标准里找一个推荐值,或者用一个行规值.另外提醒一句,FIT在不同的温度,不同的CL( Confidence ...

禁带宽度:1.12, 0.66, 1.42, 3.44 6H- SiC:3, 4H- SiC:3.25, 3C-SiC:2.3 (eV) 电子迁移率: 1350, 3800, 8000, 2000,3000左右 (cm^2/(V·s))

n型半导体费米能级靠近导带边,过高掺杂会进入导带。 p型半导体费米能级靠近价带边,过高掺杂会进入价带。

我是专做电器研发的,半导体制冷的效率只有50-65%左右,从环保能效角度不建议采用半导体制冷。你要求的大约比环境温度低10~20度是目前半导体制冷无法达到的,在密闭环境下,如果散热能满足时,大约在24小时左右能达到10度温差饱和状态。当然这还...

N是晶体原胞的数目,每个原胞中有两个原子,故总的原子数是2N,这正好是状态数目。 详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

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